Сформировать российское сообщество специалистов по компьютерному материаловедению. Найти точки соприкосновения, проанализировать актуальное состояние и тенденции в развитии таких различных областей как: квантовая химия, вычислительное материаловедение, теория функционала плотности, физика сильнокоррелированных и магнитных систем, квантовые вычисления и другие. В рамках конференции будут проведены постер-сессия и практические занятия по использованию современных российских кодов, а также по запуску квантово-химических алгоритмов на квантовом компьютере.
Дата проведения: 30 октября – 2 ноября 2023
Место: кампус Сколтеха
Условия: бесплатно
Окончание регистрации: 15 сентября 2023
Проживание
Будет предоставлено 60 бесплатных мест в комфортабельном общежитии Сколтеха вблизи места проведения конференции.
Развитие multiscale подходов, базирующихся на первопринципных расчетах, к исследованию кинетики фазовых превращений и формированию структурного состояния в сплавах.
Моделирование материалов из первых принципов, статистическая механика, дефекты, поверхности, гетерогенный катализ, электрокатализ, методы искусственного интеллекта.
Развитие и применение методов компьютерного моделирования свойств молекулярных систем на основе квантовой теории.
Предсказание кристаллических структур, компьютерный дизайн новых материалов, химия высоких давлений.
Исследование систем с тесной взаимосвязью между орбитальными, зарядовыми, спиновыми и решеточными степенями свободы с использованием методов компьютерного моделирования.
Квантовые технологии и квантовые вычисления, квантовые алгоритмы для оптимизации и моделирования сложных систем.
Применение искусственного интеллекта к моделированию материалов, протоколы автоматического расчета свойств материалов, машинно-обучаемые потенциалы.
Компьютерное материаловедение, конструкционные материалы, функциональные материалы, информатика материалов, материалы под действием облучения.
Сильно-коррелированные системы, переход металл-диэлектрик, магнетизм, орбитальное, зарядовое и спиновое упорядочения, спиновый коллапс под давлением
Приглашенные докладчики
Анисимов Владимир Ильич
Институт Физики Металлов УрО РАН (Екатеринбург)
Горкуша Ольга Александровна
Институт прикладной математики ДВО РАН (Хабаровск)
Дремов Владимир Владимирович
РФЯЦ-ВНИИТФ (Снежинск)
Евтеев Сергей Антонович
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова (Москва)
Еремеев Сергей Владимирович
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск)
Жаховский Василий Викторович
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова (Москва)
Заводинский Виктор Григорьевич
Институт материаловедения ДВО РАН (Хабаровск)
Катанин Андрей Александрович
Московский физико-технический институт (Долгопрудный)
Кондратюк Николай Дмитриевич
Московский физико-технический институт (Долгопрудный)
Коротин Михаил Аркадьевич
Институт Физики Металлов УрО РАН (Екатеринбург)
Костюченко Татьяна Сергеевна
Сколковский институт науки и технологий (Москва)
Львов Павел Евгеньевич
Научно-исследовательский технологический институт (Ульяновск)
Мазуренко Владимир Владимирович
Уральский федеральный университет (Екатеринбург)
Максимов Павел Александрович
Объединенный институт ядерных исследований (Дубна)
Мешков Евгений Александрович
Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова (Москва)
Митин Александр Васильевич
Московский физико-технический институт (Долгопрудный)
Некрасов Игорь Александрович
Институт Электрофизики УрО РАН (Екатеринбург)
Новиков Иван Сергеевич
Сколковский институт науки и технологий (Москва)
Орехов Никита Дмитриевич
Московский физико-технический институт (Долгопрудный)
Павлов Никита Сергеевич
Институт Электрофизики РАН (Екатеринбург)
Подрябинкин Евгений Викторович
Сколковский институт науки и технологий (Москва)
Потеряев Александр Иванович
Институт Физики Металлов УрО РАН (Екатеринбург)
Соколовский Владимир Владимирович
Челябинский государственный университет (Челябинск)
Хромов Константин Юрьевич
НИЦ «Курчатовский институт» (Москва)
Щелкачев Николай Михаилович
Институт физики высокого давления им. Л.Ф. Верещагина РАН (Троицк)
Темы конференции
Предсказание новых кристаллических структур и материалов
Корреляционные эффекты и методы их учёта
Квантовые вычисления и компьютеры
Квантово-химические вычисления
Молекулярная динамика
Компьютерное моделирование: структурные свойства
Компьютерное моделирование: электронные и магнитные свойства
Методы машинного обучения в современном материаловедении
Методы линейного скейлинга в первопринципных расчётах
Программа мероприятия
Время; Активность
9:15–9:30;Вступительное слово
9:30–10:15;Форсайт-доклад 1
10:15–11:00;Форсайт-доклад 2
11:00–11:15;Кофе-брейк
11:15–12:00;Форсайт-доклад 3
12:00–14:00;Обед и время для дискуссий
3 параллельные секции:
14:00–14:30;Приглашенный доклад 1
14:30–15:00;Приглашенный доклад 2
15:00–15:20;Кофе-брейк
15:20–15:50;Приглашенный доклад 3
15:50–16:20;Приглашенный доклад 4
16:20–16:50;Приглашенный доклад 5
Постер-сессия
10:00–12:00;Hands-on: квантово-химические алгоритмы на квантовом компьютере
12:00–13:00;Обед
13:00–15:00;Hands-on: USPEX
15:00–17:00;Экскурсия по Сколково
17:00;Заседание Бюро конференции
Гала-ужин / Мюзикл
Секция «Компьютерное материаловедение и вычислительная физика», Совет по физики конденсированного состояния, Отделение физических наук РАН
Место проведения
Форсайт и конференция пройдут на территории кампуса Сколковского Института науки и технологии — международного института, входящего в ТОП-100 Nature Index Young Universities
Адрес: Москва, ИЦ Сколково, Большой бульвар, д.30 стр.1
Самостоятельно на автомобиле: на территорию Сколково закрыт въезд сторонних автомобилей, поэтому машину нужно будет оставить на перехватывающей парковке у въезда. Едете по Сколковскому шоссе, перед въездом сворачиваете направо и оставляете машину на парковке (первые 2 часа бесплатно, далее 50 руб./час). От парковки до кампуса Сколтеха курсируют автобус Sk1